韩国股市7天蒸发5.8万亿 长鑫存储新技术引发行业震动

韩国综合股价指数（KOSPI）在13日重挫5%后，仅过两天，15日再度暴跌超过8%。韩国两大市场——KOSPI和创业板科斯达克指数（KOSDAQ）均触发熔断机制。这已是韩国股市今年第十次启动熔断。

15日下午1时20分，KOSPI报5524.51点，较前一交易日下滑484.3点（跌幅8.06%）。韩国股市权重股三星电子下跌9.91%，报20.9万韩元（约合1038.73元人民币）；SK海力士下跌11.28%，报125.9万韩元（约合6269.82元人民币）。

KOSPI已连续七个交易日走低。据估算，截至当天下午1时20分，此轮下跌期间蒸发的市值约为1170万亿韩元（约合5.8万亿元人民币）。

有“韩版纳斯达克”之称的科斯达克指数（KOSDAQ）当天同样大幅下挫，也触发了熔断机制。

据韩联社报道，人工智能投资回报率的争议不断升温，韩国股市半导体板块领跌。分析指出，人工智能基础设施投资近期面临的融资瓶颈，加上美国科技股与半导体股持续疲软等多重因素叠加，对韩国半导体板块构成压力。

韩国《中央日报》分析称，13日，韩国和美国的代表性存储半导体企业股价均大幅下滑。三星电子下跌7.39%，SK海力士重挫10.09%，美国美光也连续两日走低。原因在于中国长鑫存储（CXMT）宣布将于今年内实现新一代DRAM技术“4F2（4F Square）”的商业化，而三星电子和SK海力士仍在尝试该技术。

这一消息再度引发了对韩国半导体企业竞争优势即将瓦解的担忧。去年7月长鑫存储上市时，市场就曾因担心其“通过大规模资本扩充迅速追赶韩国和美国领先企业”而出现半导体股价下跌。

“4F2”技术能够在不进一步缩小半导体电路线宽的情况下，使相同面积芯片上的单元数量最多增加50%。由此，同一大小的芯片可存储更多数据，或以相同容量制造更小的芯片，从而提高每张晶圆产出的芯片数量。这项技术可能对DRAM产量产生重大影响。

4F2并非长鑫存储原创。三星电子早在今年2月的国际固态电路会议（ISSCC）上就公布了采用4F2架构的16Gb DRAM研究成果。SK海力士也在去年的学术会议上发布了4F2技术的开发方向。

作为后来者，长鑫存储在“商业化计划”上抢占了先机。长鑫本月10日在上海举行的半导体活动上透露，“将在年底前推出采用4F2技术的服务器DDR5存储器产品”。而三星电子和SK海力士尚未公布具体技术的商业化时间表。

长鑫存储未披露新产品的存储容量、处理速度、良率、生产规模和客户等信息。发布产品与实现高良率量产是两回事。半导体行业普遍认为，“试制品或许没问题，但要比韩国更快实现量产难度很大”。

《中央日报》分析称，如果长鑫存储未来能以高良率实现4F2量产，就可在相同生产设施上制造更多DRAM，降低制造成本。当前，AI数据中心扩大投资带来的内存供求缺口正以快于预期的速度收窄，三星电子和SK海力士享有的内存繁荣期可能提前结束。

但普遍观点认为，即便长鑫存储年底推出产品，要大幅提升实际供货量仍需相当长的时间，必须确保高良率，并通过服务器客户的质量验证。短期内大规模采用4F2技术制造DRAM的可能性不大。

三星电子、SK海力士等公司的股价反映了市场对内存价格涨势长期持续的预期。然而，近期引发半导体超级繁荣的AI数据中心投资热潮能持续多久，目前仍存疑问。

《中央日报》认为，在此背景下，随着中国厂商扩大供货的可能性浮现，投资者似乎开始重新评估内存价格涨势的可持续性。不过，由于长鑫存储4F2的量产能力和实际供货规模尚未得到确认，仅凭此次发布的内容，很难认为全球内存市场的供应缺口会很快得到填补。