国产碳化硅加工装备迎重大突破 7只概念股业绩倍增可期

国产碳化硅功率器件加工装备取得重要进展，制程减薄工艺已实现全流程国产化。有机构认为，SiC行业有望加速上行，建议关注产业链需求传导。

碳化硅产业链国产化获突破

据中电科电子装备集团透露，其下属北京中电科公司自主研发的国内首台套碳化硅器件晶圆全自动减薄设备，已于近日成功交付国内头部晶圆企业并投入量产应用，从而形成了涵盖碳化硅晶锭、衬底片、器件晶圆减薄的全流程国产装备解决方案。

量产实测数据显示，该设备能够将8英寸碳化硅晶圆稳定减薄至最小120微米，产能不低于15片/小时，磨削后片内厚度偏差控制在3微米以内，完全满足规模化量产对产能和均匀性的要求。

产业链其他环节也传来好消息。在10月14日开幕的2026湾芯展上，长飞先进正式发布了高性能SiC MOSFET系列芯片，并同步推出自研的嵌入式PCB功率模块；9月，电科装备48所自主研发的新一代8英寸碳化硅高温氧化炉完成了SiC MOSFET流片中试验证，各项核心指标均达到对标产品水平。

海外方面，Wolfspeed近期推出Premium 200毫米N型碳化硅衬底并已实现商用供货；英飞凌与伊顿于9月底联手，将碳化硅模组引入面向AI数据中心800VDC架构的固态变压器方案。

机构：碳化硅行业业绩拐点已现

碳化硅是第三代半导体核心材料，具有耐高压、耐高温、高频等特性，是新能源汽车、光伏储能、AI数据中心电源等场景功率器件的关键材料。

华西证券近日研报指出，碳化硅行业业绩拐点已经确立，“产能已经拉满、要多拿货必须加价”，预计SiC衬底需求有望从2025年的约85亿元增长至2030年以后的约2020亿元，增量主要来自AI电力、先进封装和AR眼镜；需求放量将沿设备、衬底、外延的顺序向上游传导。

长江证券指出，功率器件七成以上依赖8英寸制程，供给端刚性超预期，2026年全球8英寸有效产能同比萎缩2.4%，MOSFET交期超过30周；而AI算力扩张推动需求跃迁，单台AI服务器功率器件价值量达到传统服务器的3至5倍。

招银国际表示，6英寸向8英寸切换叠加涨价周期，2026年行业供需格局将反转，英飞凌、意法半导体等龙头已完成两轮涨价，头部厂商产能利用率普遍超过90%，行业有望进入量价齐升通道。

多只概念股业绩有望高增长

东方财富概念板块显示，目前A股市场有47只个股涉及碳化硅概念，合计总市值约1.23万亿元。除了体量遥遥领先的长飞光纤，通富微电、芯联集成、华润微、时代电气等市值均超过600亿元。

年初至今，碳化硅概念涨跌互现，三孚股份、ST东尼、光力科技等涨幅超过60%。10月以来，板块随大盘震荡走低，时代电气逆势上涨5.38%；英诺激光、扬杰科技、斯达半导等23只个股跌幅超过10%。

从资金面看，东方财富Choice数据显示，10月以来共有15只碳化硅概念股获得融资客逆势押注，其中华润微获杠杆资金加仓0.62亿元，捷捷微电、合盛硅业分别获抢筹0.57亿元、0.30亿元，气派科技、露笑科技、楚江新材均获超千万元融资净买入。

未来增长潜力方面，根据3家及以上机构一致预测，共有7只碳化硅概念股今年业绩有望翻倍增长。

其中，机构预计长飞光纤全年净利或同比大增约8.1倍，麦格米特净利将增长超过4.4倍，芯联集成、合盛硅业、天岳先进、华润微、快克智能预测净利增幅均在1.1倍以上。

芯联集成是国内少数同时具备6英寸与8英寸碳化硅晶圆量产代工能力的企业，第四代SiC MOSFET已于二季度量产，面向AI数据中心固态变压器的3300V高压碳化硅器件已送样核心客户验证。

天岳先进是全球头部导电型碳化硅衬底制造商，已实现8英寸衬底规模化量产并推出12英寸产品，全球前十大功率器件厂商中超过一半已是公司的直接客户。

（文章来源：东方财富研究中心）