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    长鑫科技科创板上市两个多月股价震荡,业绩表现引关注

    来源:网络

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       发布时间:2026-10-16 00:59:52

    [摘要] 《科创板日报》10月15日讯(记者郭辉)登陆科创板两个多月来,国产DRAM龙头长鑫科技一方面实现新技术成果突破,一方面又经历资本市场剧烈震荡。  截至最新一个交易日(10月15日),长鑫科技股价较上市首日收盘价下跌11.04%,自上市至今的区间最高价跌幅将近30%。  市值维度来看,长鑫科技最新市值为2.96万亿元,短短两个月的时间,便从4.2万亿元的高点跌破3万亿,A股市值 “

    《科创板日报》10月15日报道(记者郭辉),国产DRAM领军企业长鑫科技登陆科创板已有两个多月,期间既取得了新技术突破,也遭遇了资本市场的剧烈波动。

    截至10月15日最新交易日,长鑫科技股价较上市首日收盘价已下跌11.04%,距上市以来的区间最高价跌幅接近30%。

    从市值角度看,长鑫科技目前市值为2.96万亿元,仅两个月时间便从4.2万亿元的高位跌破3万亿,A股市值第一的位置也随之易主。上市不久后,长鑫科技曾超越工商银行、茅台等企业,登上A股市值榜首,这也是首次由一家DRAM芯片硬科技公司占据A股市值第一的宝座。

    存储芯片概念股出现震荡。连日来,全球存储板块整体经历显著回调。

    10月15日早间消息,美股存储芯片概念股盘前集体下挫,SK海力士(SKHY)跌超7.8%,西部数据(WDC)、希捷科技(STX)、闪迪(SNDK)及美光科技(MU)跌幅均超过5%;港股存储概念同样走低,10月15日南方两倍做多海力士跌超24%,南方两倍做多三星电子跌超20%;当日韩国KOSPI指数盘中一度下探至5450点,创下近三个月新低。

    全球存储产业正进入产能大规模扩充阶段。但全球投资者的忧虑情绪日益加重,科技巨头搭建AI基础设施需要巨额资本开支,在美联储加息背景下借贷成本高企,可能限制开支前景,进而拖累这些在本轮AI投资热潮中受益的科技企业。

    以海力士为例,该公司今年年初宣布将向龙仁半导体集群晶圆厂(Fab)一期追加投资21.6万亿韩元,以应对AI及数据中心市场对高带宽内存(HBM)等先进半导体的结构性需求增长,保障大规模生产,项目首批无尘室的交付时间将由原定的2027年5月提前至2027年2月。海力士位于美国印第安纳州的晶圆厂总投资额将超过40亿美元,预计2028年10月完成无尘室建设,2029年下半年启动新一代HBM量产。

    市场观点认为,DRAM行业整体处于景气周期的预期未变,但供需矛盾放缓的迹象也值得关注。

    Counterpoint预计,今年三季度DRAM价格环比上涨10%-20%,存储供需偏紧态势或延续至2027年。TrendForce则预计,今年第四季度Conventional DRAM、HBM Blended及NAND Flash合约价分别环比上涨10%-15%、15%-20%和15%-20%。

    不过,群智咨询(Sigmaintell)发布的存储价格风向标显示,2026年第三季度全球存储市场整体供需仍然紧缺,DRAM、NAND Flash全品类价格维持环比上行,但相较二季度的涨价幅度已明显放缓,部分存储芯片的环比涨幅已收窄至10%以内。

    TrendForce也预测,传统DRAM及NAND在第四季度的涨幅将较2026年第三季度有所收窄,但价格上行趋势并未逆转。

    三星等存储芯片巨头最新发布的业绩也具有一定的指标意义。

    据三星公布的初步业绩,三星电子今年7月至9月期间营收同比增长127%,达到195万亿韩元,营业利润为107.4万亿韩元(约合801.7亿美元),较上年同期的12.17万亿韩元飙升近8倍。

    然而对比第二季度财报数据可以看出,其增长幅度有所减缓。由于AI旺盛需求持续推动存储芯片业务增长,三星电子第二季度营收为171.5万亿韩元,同比增长130%;营业利润为89.5万亿韩元,同比暴增1814%;净利润为71.6245万亿韩元,同比增长1299.9%。

    国盛证券分析师佘凌星团队研报认为,AI基础设施建设持续拉动高性能存储需求,HBM、Server DRAM及企业级SSD供需有望维持偏紧格局。存储芯片原厂将先进制程和资本开支重点投向服务器、高容量及高附加值产品,但新建洁净室、技术升级和产能爬坡均需要较长时间,短期供给增量难以完全匹配AI服务器需求的增长。

    在股价震荡的同时,长鑫科技的技术迭代节奏显著加快,新技术实现突破。

    10月10日,长鑫科技相关负责人宣布,预计将于今年年底推出融合4F²架构及混合键合等先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。目前DRAM行业主流架构为6F²架构,这将是存储产业首次实现从6F²到4F²设计和工艺的技术跨越,并且已确定量产时间点。

    《科创板日报》记者了解到,长鑫科技自成立以来便启动了4F²的研究和专利布局,公开专利族超过300件,数量领先海内外厂商。

    长鑫科技9月20日宣布,该公司第五代工艺技术平台正式实现量产,并同步展出基于该平台打造的大容量LPDDR5X产品。G5平台在关键工艺维度上实现了多项行业领先的技术突破。通过四重曝光技术,长鑫科技将内存阵列的有源区半间距微缩至11.95纳米,接近全球最顶尖的内存量产平台制程。

    今年8月,长鑫科技宣布自主研发的最新一代低功耗内存LPDDR6实现量产,并将首批搭载于小米18 Fold折叠旗舰手机。长鑫LPDDR6芯片性能较上一代LPDDR5X实现全面跃升,通过架构创新及数据传输优化技术,峰值速率达12800Mbps,芯片最高容量16GB。这也是全球LPDDR6产品首次落地商用。

    业绩方面,长鑫科技2026年上半年实现营业收入1503.1亿元,同比增长873.64%;归属于上市公司股东的净利润776.05亿元,同比扭亏为盈。

    根据Omdia数据,按产能、出货量和销售额统计,长鑫科技已成为中国第一、全球第四的DRAM厂商,全球市场份额从近乎为零攀升至2025年第四季度的7.67%。

    关键词: 长鑫 科技 科创 上市 两个 多月 股价 震荡

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