长鑫科技宣布第五代DRAM技术取得突破

9月20日，在世界制造业大会的舞台上，长鑫存储正式对外宣告，其第五代DRAM技术平台已成功进入量产阶段。据介绍，该平台在多项关键工艺维度上取得了技术突破，制程水平已接近全球最顶尖的内存量产平台。不过，长鑫科技随后在公告中提醒，第五代工艺平台的良率提升仍需经历一定周期，同时新产品导入客户也要经过验证与认证流程。9月21日，长鑫存储股价高开，早盘涨幅一度超过5%，最高触及58.76元/股，此后盘中涨幅逐渐收窄，截至发稿时报价56.56元/股，上涨1.84%，总市值达到3.84万亿元。

9月21日开盘前，长鑫科技发布了《关于第五代工艺技术平台实现量产的自愿性披露公告》。公告指出，公司在8月29日披露的《2026年半年度报告》中曾提到，第五代工艺技术平台正在接受客户认证。而到了9月20日，公司在于2026世界制造业大会上宣布该平台正式实现量产，并同步展示了基于该平台开发的大容量LPDDR5X产品。

长鑫科技在其微信公众号“长鑫存储”上发文称，第五代平台在关键工艺维度上实现了多项行业领先的技术突破。借助创新的四重曝光技术，内存阵列的有源区半间距被缩小至11.95纳米，已接近全球最顶尖的内存量产平台制程水平。此外，通过改进工艺流程并引入新材料，存储电容的深宽比达到45:1。公司还开发了适配DRAM工艺的高介电常数金属栅（HKMG）工艺，使第五代平台核心功能区的高度成功缩减至6762纳米。

文章进一步指出，第五代微缩工艺的突破带动存储密度实现了跨越式增长：每片晶圆产出的裸片数量相比第四代平台至少提升50%，在产品能效和成本控制方面均展现出明显优势。本次大会还同步展出了两款基于该平台打造的LPDDR5X量产产品，单颗容量均为24Gb，较上一代同类型产品提升50%，分别采用496Ball和245Ball封装规格，可满足中高端智能手机、便携式消费电子等不同应用场景的需求，目前这两款产品均已进入规模量产阶段。

不过，上述公告也做出了风险提示：公司第五代工艺技术平台作为全新平台，良率爬坡需要一定时间。基于该平台的产品尚未实现规模销售，新产品导入客户需经过验证与认证周期，市场拓展进度存在不确定性。

据南都湾财社此前报道，长鑫科技的主营业务涵盖DRAM的设计、研发、生产和销售，公司成立于2016年。此前，长鑫科技采用了“跳代研发”策略，完成了从第一代工艺技术平台到第四代工艺技术平台的量产。今年7月27日，长鑫科技正式在科创板挂牌上市。

在本轮超级存储周期中，长鑫存储已实现盈利，2025年营收达617.99亿元，同比增长155.6%，归母净利润为18.75亿元，同比成功扭亏。

步入2026年后，长鑫科技业绩迎来爆发式增长。公司此前预计，2026年上半年营收将在1100亿元至1200亿元之间，归母净利润在500亿元至570亿元之间。而8月28日发布的上市后首份财报显示，长鑫科技2026年上半年实际实现营收1503.10亿元，同比大幅增长873.6%，归母净利润达776.05亿元，两项数据均远超预期。