长鑫存储技术获重要突破 海外大厂业绩共振 9只超跌概念股受关注

长鑫科技近日宣布，其在4F2 DRAM架构研发方面取得了重要突破。与此同时，美光与三星的业绩表现亮眼，机构预测存储芯片行业的高景气态势有望持续。

10月10日，第四届集成芯片和芯粒大会在上海召开。长鑫科技总裁曹堪宇在主题演讲中，系统阐述了公司在DRAM器件、4F2架构以及混合键合等技术领域的探索成果，并正式对外公布4F2 DRAM架构研发获得关键性进展。据其透露，预计今年年底将推出整合上述先进技术的新一代DDR5 RDIMM产品。

曹堪宇进一步说明，长鑫4F2架构的最大亮点在于DRAM存储阵列晶体管层面的底层创新——即自主研发的VSG（垂直包围沟道结构）晶体管。该技术能够提供更强的栅极控制能力，有效缓解漏电和短沟道效应等难题，同时竖直的晶体管形态也有助于实现芯片面积的进一步微缩。

值得关注的是，长鑫科技近期技术突破频频。8月，公司宣布最新一代低功耗内存LPDDR6成功量产，并在全球范围内率先实现LPDDR6产品的商用落地；9月20日，第五代DRAM技术平台（G5）也宣布进入量产阶段，借助四重曝光技术将内存阵列有源区半间距缩小至11.95纳米。

与此同时，海外存储巨头业绩同样表现强劲。美光最新公布的2026财年第四财季业绩显示，营收达到542.29亿美元，同比大幅增长379%，已连续第六个季度刷新营收纪录。该公司CEO指出，2027年和2028年的内存及存储供需格局将比2026年更为紧张。

三星电子发布的2026年第三季度初步业绩则显示，公司单季营业利润约为107.4万亿韩元，同比猛增782.5%，历史上首次突破100万亿韩元关口。

存储超级周期有望延续

存储芯片是一种以半导体介质保存数据的集成电路，主要涵盖DRAM、NAND Flash及NOR Flash等品类，其中DRAM是当前计算系统中最关键的系统内存。

Omdia预测，全球DRAM市场规模将从2025年的1505亿美元攀升至2030年的5710亿美元，2025年至2030年的复合增长率约为30.56%；在此期间，服务器DRAM需求占比预计从约50%上升至71%，成为拉动行业需求增长的主要动力。

国盛证券最新研报分析称，原厂正将先进制程和资本开支重心转向服务器、高容量及高附加值产品，但新建洁净室、技术升级和产能爬坡都需要较长周期，短期内供给增量难以完全满足AI服务器的需求增长。HBM产品迭代升级、数据中心SSD放量以及长期客户协议等因素有望进一步巩固存储行业景气度，看好相关产业链的投资机会。

国联民生证券同样表示，继续看好本轮存储超级周期。该机构认为，AI需求的持续高景气、供给端约束的强化、长协锁定盈利以及股东回报提升，共同推动盈利中枢上移。DRAM和NAND价格在高基数背景下仍有望继续上行，价格上行的持续性显著优于传统周期。目前仍处于超级周期盈利预期上修阶段，持续看好存储产业链前景。

机构紧盯多只超跌概念股

东方财富概念板块数据显示，当前A股市场共有143只个股涉及存储芯片概念，合计总市值超过10万亿元。其中，长鑫科技、中芯国际、北方华创体量排名前三，华虹宏力、中微公司、澜起科技等多只个股市值均超过2000亿元。

从资金面来看，东方财富Choice数据显示，近一个月内，共有35只存储芯片概念股获得融资客逆势加仓。其中，华天科技被杠杆资金加仓1.97亿元，康强电子、先导基电分别获得1.58亿元和1.41亿元的融资抢筹，富满微、中京电子、长川科技等5只个股也均获得超过1亿元的融资净买入。

市场表现方面，年初至今存储芯片概念经历冲高回落，尤其是三季度以来板块回撤明显，多达77只概念股最新价较区间最高价的跌幅超过40%，臻宝科技、德明利、佰维存储、江波龙等7只个股的回撤幅度更是超过60%。

值得注意的是，在上述超跌存储芯片概念股中，有9只个股同期获得了3次及以上机构调研。

具体来看，华润微三季度以来被调研总次数达到13次，立昂微获得10次机构调研，鼎龙股份、东芯股份分别被调研8次和6次，澜起科技、安集科技的被调研次数均为4次。

兆易创新是国内领先的Fabless存储器供应商，持有长鑫科技股份，双方形成了"设计+制造"的深度绑定关系。公司近日已将2026年度与长鑫集团的日常关联交易预计额度从57.11亿元上调至78.54亿元。

澜起科技是内存互连芯片领域的龙头企业。公司于9月底宣布，其DDR5第五子代寄存时钟驱动器芯片（RCD05）已实现量产，该产品主要面向高性能DDR5 RDIMM内存模组。

（文章来源：东方财富研究中心）