长鑫科技第五代技术平台量产晶圆产出提升超50% 24GB LPDDR5X进入国产旗舰手机

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发布时间：2026-09-20 18:15:29

[摘要] 据澎湃新闻今日报道，在 2026 世界制造业大会上，长鑫科技宣布第五代技术平台正式量产。据介绍，长鑫科技将内存阵列有源区半间距做到 11.95 纳米，存储器电容深宽比 45:1，核心动能区高度降至 6762 纳米；同时，第五代工艺平台的存储密度有了大幅提升，同等条件下，每张晶圆的产出，与上一代平台相比提升了 50% 以上。基于该平台打造的 24GB LPDDR5X 产品已经进入正式量产

据澎湃新闻今日消息，2026世界制造业大会上，长鑫科技对外宣布，其第五代技术平台已实现正式量产。

根据介绍，该平台将内存阵列有源区的半间距压缩至11.95纳米，存储器电容深宽比达到45:1，核心动能区高度则降低到6762纳米。与此同时，第五代工艺平台在存储密度方面取得显著进步——在同等条件下，每张晶圆的产出较上一代平台提高超过50%。

依托这一技术平台，24GB LPDDR5X产品已进入正式量产阶段，并全面应用于国产主流旗舰手机。

另据IT之家早前报道，长鑫科技曾在2025年10月宣布LPDDR5X产品实现量产，其芯片形态涵盖12GB、16GB、24GB等多种容量方案，模组形态的LPCAMM产品则提供16GB与32GB两种容量。

关键词： 长鑫科技五代技术平台量产晶圆产出