长鑫存储新架构冲击市场 海外巨头垄断格局面临重估

国产存储领军企业长鑫科技近日公布了新型技术架构，与此同时，全球存储巨头股价出现显著回调。10月13日，三星电子与SK海力士股价跌幅均超过7%，次日跌幅有所收窄并趋于稳定。

有业内人士向证券时报记者指出，国际存储巨头此次暴跌，从短期看是交易情绪层面的过度反应，从长期看则反映出市场对其垄断壁垒的重新评估，未来服务器市场将呈现分化态势。

据相关报道，10月10日，长鑫科技总裁曹堪宇博士在第四届集成芯片和芯粒大会上披露了公司在DRAM器件、4F²架构以及混合键合等领域的研发进展，并透露预计年底将推出融合新技术的新一代DDR5 RDIMM产品。相较于DRAM行业普遍采用的6F²架构，4F²架构意味着每个单元仅占4倍最小特征尺寸的平方，从而使单位面积内的晶体管数量增加，实现存储密度提升。该技术最关键的特点在于DRAM存储阵列晶体管上的创新，即自主研发的VSG（垂直环绕栅极）晶体管。

CIC灼识副总监张笑璐向记者分析称，这是一种通过三维架构跨越来对冲光刻机受限的路径。VSG属于学术界和产业界已研发多年的立式GAA技术。据介绍，海外巨头原本计划在2027至2028年推进至10纳米以下制程或3D DRAM时才引入该路线，而长鑫科技因外部限制选择提前切换。与传统DRAM采用6F²构型不同，长鑫科技通过垂直环绕栅极结合晶圆级混合键合，在不依赖先进EUV光刻制程的条件下，将单胞面积缩减约33%，晶圆位元密度提升30%至50%。

针对此次架构创新对产业链的影响，张笑璐表示，在半导体设备层面，有望重点利好超高深宽比等离子刻蚀、原子层沉积、晶圆级混合键合及超高精度化学机械抛光等领域；在主控芯片层面，对外输出的DDR5 RDIMM必须严格兼容JEDEC标准，主控无需重写核心架构，但由于底层漏电控制与散热界面发生变化，需要在动态刷新与电源管理固件方面进行联合调优。

在产品方面，长鑫科技还宣布年底将推出面向服务器内存的4F²架构DDR5 RDIMM。分析师认为，这有望打破海外厂商在通用型DDR5内存领域的长期定价垄断。

张笑璐介绍，服务器内存的验证周期通常需要18至24个月。长鑫科技新架构服务器内存若推出，短期内预计不会对全球供需格局产生实质性冲击，因为海外巨头目前将产能重点集中在HBM3e/HBM4上，传统服务器DDR5本就处于紧平衡状态。但从中长期来看，国产新型服务器内存将优先满足国内自主保供需求，并打破韩美厂商在通用DDR5领域的长期定价垄断，迫使海外巨头退守至壁垒更高的HBM与定制内存市场。

长鑫科技官宣新架构后，10月13日，全球存储龙头三星电子股价下跌超过7%，韩股SK海力士股价下跌约10%；10月14日，SK海力士股价跌幅收窄至1.66%。

对于海外存储同行的市场表现，张笑璐认为，短期来看是交易层面的情绪超调，长期来看则是对垄断壁垒的实质性重估。据介绍，两家海外存储巨头当前的核心利润来源于绑定AI算力的HBM订单，而长鑫此次突破的是通用服务器DDR5，短期内不会分流HBM利润池，加之验证爬坡期的存在，决定了其不会立即对短期财报造成冲击。

张笑璐表示，但海外存储巨头的长期逻辑已出现实质性动摇。长鑫科技的架构突围证明，即使光刻节点受到限制，也能在有效位元密度上实现追平，这动摇了美韩存储巨头的长期技术代差溢价。

除新型架构突破外，长鑫科技近期还宣布了多项技术进展和投资扩产计划。9月20日，公司宣布第五代DRAM工艺平台（G5平台）正式量产，并同步推出基于该平台研发的大容量LPDDR5X产品。G5平台通过四重曝光工艺，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球一线DRAM量产工艺水平。

9月28日，长鑫科技公告拟使用部分超募资金推进总投资241亿元的技术研发项目，用于先进DRAM工艺迭代、新架构技术研发、先进封装与芯粒技术攻关；以及总投资108亿元的后道测试基地二期项目，规划新建专业DRAM测试工厂，覆盖芯片测试、模组组装等后道环节。

据国际市场研究机构Counterpoint Research估算，长鑫存储在全球DRAM营收中的份额已从2025年第二季度的4%提升至2026年第二季度的10%，成为全球第四大DRAM厂商。