长鑫存储新架构冲击市场 海外巨头垄断格局面临重估

国产存储领军企业长鑫科技近日发布全新架构技术，引发全球存储龙头股价出现明显调整。10月13日，三星电子与SK海力士股价双双下跌逾7%，次日跌幅有所收窄并趋于稳定。有业内人士向证券时报记者指出，国际存储巨头此轮暴跌，短期内属于交易情绪面的过度反应，但从长远角度观察，则折射出市场对其垄断地位的重新评估，同时服务器市场未来将呈现分化格局。

据相关报道，10月10日，长鑫科技总裁曹堪宇博士在第四届集成芯片和芯粒大会上，披露了公司在DRAM器件、4F²架构以及混合键合等领域的研发进展，并透露计划于年底推出整合新技术的下一代DDR5 RDIMM产品。相较于DRAM行业普遍采用的6F²架构，4F²意味着每个单元仅占据4倍最小特征尺寸的平方，从而在单位面积内集成更多晶体管，实现存储密度的提升。该技术最关键之处在于DRAM存储阵列晶体管上的革新，即自主研发的VSG（垂直环绕栅极）晶体管。

CIC灼识副总监张笑璐在接受记者采访时分析称，这一方案是通过三维架构来绕过光刻机限制的路径。VSG属于学术界和产业界已研发多年的立式GAA技术。她介绍，海外巨头原本计划在2027至2028年推进至10nm以下制程或3D DRAM时才引入该技术路线，而长鑫科技因外部制约选择了提前切换。与传统DRAM采用的6F²构型相比，长鑫科技借助垂直环绕栅极结合晶圆级混合键合，在不依赖先进EUV光刻制程的条件下，将单胞面积缩小约33%，晶圆位元密度提高30%至50%。

谈及此次架构创新对产业链的影响，张笑璐表示，在半导体设备环节，有望重点受益的包括超高深宽比等离子刻蚀、原子层沉积、晶圆级混合键合以及超高精度化学机械抛光；在主控芯片方面，对外供应的DDR5 RDIMM须严格符合JEDEC标准，主控无需重写核心架构，但由于底层漏电控制和散热界面发生变化，需要在动态刷新与电源管理固件上进行联合调优。

在产品层面，长鑫科技还宣布将于年底推出面向服务器内存的4F²架构DDR5 RDIMM。分析师认为，这有望打破海外厂商在通用型DDR5内存领域的长期定价垄断。

张笑璐介绍，服务器内存的验证周期通常为18至24个月。长鑫科技新架构服务器内存若推向市场，短期内预计不会对全球供需格局产生实质性影响，因为海外巨头当前将产能重心放在HBM3e/HBM4上，传统服务器DDR5本就处于紧平衡状态。但从中长期看，国产新型服务器内存将优先满足国内自主保供需求，并打破韩美厂商在通用DDR5领域的长期定价垄断，迫使海外巨头退守至壁垒更高的HBM与定制内存市场。

长鑫科技官宣新架构后，10月13日，全球存储龙头三星电子股价下跌超过7%，韩股SK海力士股价下挫约10%；10月14日，SK海力士股价跌幅收窄至1.66%。

针对海外存储同行的市场表现，张笑璐表示，短期来看是交易层面的情绪超调，长期则是对垄断壁垒的实质性重估。她介绍，两家海外存储巨头目前的核心利润来源于绑定AI算力的HBM订单，而长鑫此次突破的是通用服务器DDR5，短期内不会分流HBM利润池，加之验证爬坡期的存在，决定了其不会立即对短期财报造成冲击。

张笑璐指出：“但海外存储巨头的长期逻辑已出现实质性动摇。长鑫科技的架构突围证明，即便光刻节点受限，也能在有效位元密度上实现追平，这动摇了美韩存储巨头的长期技术代差溢价。”

除新型架构突破外，长鑫科技近期还宣布了多项技术进展和扩产投资。9月20日，公司宣布第五代DRAM工艺平台（G5平台）正式量产，并同步推出基于该平台研发的大容量LPDDR5X产品。G5平台通过四重曝光工艺，将内存阵列有源区半间距微缩至11.95纳米，接近全球一线DRAM量产工艺水平。

9月28日，长鑫科技公告拟使用部分超募资金推进总投资241亿元的技术研发项目，用于先进DRAM工艺迭代、新架构技术研发、先进封装与芯粒技术攻关；同时推进总投资108亿元的后道测试基地二期项目，规划新建专业DRAM测试工厂，覆盖芯片测试、模组组装等后道环节。

据国际市场研究机构Counterpoint Research估算，长鑫存储在全球DRAM营收中的份额已从2025年第二季度的4%提升至2026年第二季度的10%，成为全球第四大DRAM厂商。

（文章来源：证券时报）

(原标题：长鑫科技新型架构撼动存储市场 海外龙头垄断壁垒面临重估)

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