三星高管预测明年HBM将占DRAM全球产能近三成

AI需求持续升温，存储厂商纷纷加大对HBM的投入力度，传统DRAM的供应因此面临压力。三星一位高管预测，明年HBM将占据全球DRAM晶圆总产能的近三成，与此同时，有市场研究机构上调了对2027年HBM价格的预期。

据媒体当地时间9月29日报道，三星电子执行副总裁Kim Taewoo在当天表示，预计到明年，HBM将占DRAM厂商晶圆总产能的近30%，而目前这一比例大约为20%。

Kim Taewoo指出，HBM与传统DRAM需要争夺同一批晶圆产能，因此扩大HBM的产出可能会对传统DRAM的供应形成挤压。

半导体市场研究机构TrendForce此前的预测显示，到2027年底，全球三大HBM供应商的HBM晶圆投入将约占DRAM晶圆总投入的30%，但若按存储容量来计算，仅能贡献约13%的DRAM总供应量。

三星正在加快HBM领域的布局步伐。据媒体当地时间9月20日报道，三星自今年2月起已开始量产出货HBM4，并在5月向包括英伟达在内的客户提供了12层HBM4E样品。报道还提到，业内预计三星HBM月均晶圆投入量将从今年约18万片提升至明年约25万片，增幅接近四成。

在价格方面，TrendForce于同日（9月29日）表示，AI服务器需求仍在持续，HBM与通用DRAM将继续分享有限的先进制程产能，2027年存储供应预计维持偏紧态势。该机构同时上调了2027年HBM价格预期，预计混合平均售价将同比上涨121%，主要原因是供应持续受限、高价HBM4占比提升，以及HBM4E将在2027年下半年逐步放量。

TrendForce还指出，受HBM供应有限和系统成本快速攀升的影响，GPU和ASIC厂商正在考虑降低单颗芯片的HBM搭载容量，单个堆栈成本更低的8层HBM预计将成为2027年多家厂商优先评估的方案。由于每个HBM堆栈都需要一颗基础裸片，其成本并不会随DRAM层数的减少而等比例下降，TrendForce预计2027年8层HBM每Gb的售价将比12层产品高出约10%至20%。

此前在8月25日，TrendForce曾指出，服务器DRAM合约价在2025年下半年累计上涨了64%，预计2026年全年累计涨幅约为270%。（文章来源：财联社）

(原标题：三星高管：预计明年HBM将占DRAM全球产能近三成，传统DRAM供应承压)

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